陶氏膜元件的荡涤实验与解剖分

陶氏膜元件的荡涤实验与解剖分析

文章出处:作者:李立

  一、清洗试验

  当陶氏元件产水流量比规范值低很多时,应当尝试对陶氏膜元件进行清洗。但若陶氏膜元件本身已受到伤害或已经受到严重污染(当渗透液流量小于原定值的50%)时,将难以获得有效的清选效果。采用清洗来确定故障的方法包括建立清洗程序、确认代表性陶氏膜元件及随后的性能评测,清洗评估可以在性能测定之后对膜元件进行,也可以在膜元件作破坏性解剖之后对元件内的膜片进行,参阅第 7章清洗与sha菌部分的介绍。当证明陶氏膜清洗试验有效时,即可用来清洗整个膜系统。

陶氏膜31.jpg

陶氏膜

  二、解剖分析

  确定性能损失原因的终方法是对元件作破坏性解剖分析。破坏分析如为质保目的时,则需由陶氏技术服务与开发部门来参与。当除去元件末端的抗应力器和缠绕外皮时,就可以打开元件内的膜叶。沿膜元件园周轴向均匀切开2~4个切缝,软水,切缝的深度正好深及缠绕的外皮,然后仔细打开膜元件,不至于伤及膜表面,反渗透,检查膜叶完整性,全面认真地查看膜表面,裁剪膜样品或收集污垢物,进行化学分析或膜片平板性能测试。

陶氏膜24.jpg

陶氏膜

  三、加压染料试验

  为了确定高漏盐率的原因和位置,在解剖元件前,应配制染料溶液对膜元件进行加压运行,所用染料为若丹明B(碱性蕊香红,一种红色荧光染料),产水出现红色代表该膜受到破坏,解剖经过染料处理过的膜元件,查看染料的漏点,膜有损坏的区域会残留红色,这种评估方法能帮助人们辩别膜的化学损坏(如氧化)和机械损坏(如产水背压)。

陶氏膜1.jpg

陶氏膜

  四、膜面分析

  沉积物的形态可借立体与标准光学显微镜或扫描电子显微镜来确定。元件膜表面或污垢与水垢层所含化学元素可从能量散射X-射线荧光分光法(EDXRF)确定,通过EDXRF分析未经处理过的膜片样品、经清洗过和经冲洗过的膜片样品以及收集到的干燥污垢物等,确定膜和污垢内化学元素的半定量结果,这种方法可以作为膜被卤代化合物破坏的证据,可能检测到的典型元素为Ca,Ba,Sr,反渗透,S(结垢物内),Fe,Si,P,Zn(胶体污物内)和Cl,Br,I(氧化性破坏)。但该法不能确定完全由有机物和微生物污染所致的故障。通过电子光谱化学分析ESCA可以鉴别与膜表面有机结合的杂质,这一方法主要用于确定氧化性破坏的来源。

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